metalnih oksida poluvodiča tranzistor s učinkom polja ( MOSFET ) koji postoji od ranih 1960-ih . Njegova uporaba je popularna u industriji poluvodiča jer dade se zbijen s drugim MOSFET lakše od drugih tranzistora . Pakirani pojedinačno , MOSFET su korisne za stvaranje male snage pojačala . Ovi tranzistori se na različitim dimenzijama , pa su karakteristike IV promijeniti između dizajna , a tu su i neke uobičajene metode već u radnom odnosu na mjerenje ove krivulje . Prototipova maketa
Od pojedinačnih MOSFET masovno proizvedena tamo će vjerojatno biti razlike između svake od njih s obzirom na IV obilježja . Za nekih krugova dizajna , varijacije može biti vidljiv između teorijskih i uočenih karakteristika performansi . Za testiranje svaki tranzistor prije uporabe ,odvod priključen na vlast i izvora u spojen na zemlju . Vrata za izvor napona postavljen na diskretne vrijednosti , dok jenapon odvod je varirala . Mjerenjestruje sa svake varijacije daje podatke za izgradnju skupinu krivulja vidio s mnogim podatci za MOSFET .
Transistor Tester
Zbog troškovi previsoki , tipičan hobi neće koristiti tranzistor tester s prikazom graf za određivanje svojstava IV MOSFET . To jedio opreme više uobičajeno vidjeti u istraživanje i testiranje okruženja . Spajanjem vodi do izvora , vrata i odvod ,tranzistor tester prikazuje skupinu krivulja mjernih IV u odgovarajućim intervalima . Ovisno o modelu , dobiveni podaci također mogu biti snimljene na disk za kasnije pretraživanje ili prijenos na računalo .
Probe i Test
Nakon serija MOSFET testiraju ,probe i ispitivanja skupine na poluvodičkog uređaja proizvodni pogon testovi svaki tranzistor kako bi provjerili da li se radi . Sonde su priključeniizvor , vrata i odvod svake MOSFET . Karakteristike IV može naučiti o svakoj. Samo rade tranzistori na gotovom napolitanki će se izrezati i zapakirane . Budući daje cilj za ovaj test je maksimiziranje prinosa , svaki tranzistor se ispituje kako bi bili sigurni svatko je unutar specifikacija dizajna .
Dizajn softver
srodan na projektiranje zgrada i razni strojevi , specijalni softver se koristi za dizajn MOSFET . Osim sposobnosti da nokautirati masku sloja potrebne za izradu procesa , ovaj softver je u mogućnosti pružiti teorijske mjerenja IV . Ovi rezultati se temelje off od mnogih čimbenika koji su otkriveni kroz opsežna istraživanja o MOSFET . Ti čimbenici uključuju parazitskih kapaciteta i unutarnje impedancije . Uz sve ove informacije na raspolaganju , karakteristike IV MOSFET može odrediti prije nego je izmišljen.